唐元洪
,
裴立宅
材料导报
硅纳米管在晶体管等纳米电子器件、传感器、场发射显示器件、纳米磁性器件及光电器件、储氢及电化学等领域有着广阔的应用前景.综述了近年来硅纳米管在储氢能力、热稳定性、量子限制行为及力学性能等理论方面的研究成果,以及采用水热法、模板法、电化学溶液沉积过程、化学气相沉积法、热蒸发、电弧法及激光烧蚀等方法制备单晶、多晶及非晶硅纳米管的最新研究进展,并提出了硅纳米管可能的研究方向.
关键词:
硅纳米管
,
单晶
,
理论
,
制备
,
进展
余志强
,
张昌华
,
李时东
,
廖红华
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140439
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了 C/Ge 掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明，本征态和C/Ge掺杂的硅纳米管均属于直接带隙半导体，其价带顶主要由Si-3p态电子构成，而导带底则主要由Si-3p态电子决定。通过C掺杂，可使硅纳米管的禁带宽度减小，静态介电常数增大，吸收光谱产生红移；而通过Ge掺杂，可使硅纳米管的禁带宽度增大，静态介电常数减小，吸收光谱产生蓝移。研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。
关键词:
第一性原理
,
硅纳米管
,
电子结构
,
光电性质
张昌华
,
余志强
,
郎建勋
,
廖红华
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.22.031
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了铝掺杂对单壁扶手型(6,6)硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态硅纳米管属于直接带隙半导体,其禁带宽度为0.42 eV,而铝掺杂硅纳米管为间接带隙半导体,其禁带宽度为0.02 eV。单壁扶手型(6,6)硅纳米管的价带顶主要由 Si-3p 态电子构成,而其导带底则主要由 Si-3 p态电子决定。同时通过铝掺杂,使硅纳米管的禁带宽度变窄,吸收光谱产生红移,研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。
关键词:
第一性原理
,
硅纳米管
,
电子结构
,
光电性质
